高溫四探針測(cè)試儀測(cè)試電阻率的原理及優(yōu)勢(shì)

可評(píng)估薄膜導(dǎo)電性能的高溫四探針測(cè)試儀采用直排四探針?lè)ㄔO(shè)計(jì)原理測(cè)量。主要用于評(píng)估半導(dǎo)體薄膜和薄片的導(dǎo)電性能，參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。重復(fù)性與穩(wěn)定性更好，采用雙屏蔽高頻測(cè)試線纜，提高測(cè)試參數(shù)的精確度，同時(shí)抗干擾力更強(qiáng)。本設(shè)備也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。

高溫四探針測(cè)試儀的測(cè)量原理：

• 測(cè)量電阻率的方法很多，如三探針?lè)ā㈦娙?/span>-電壓法、擴(kuò)展電阻法等，四探針?lè)▌t是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，高溫四探針測(cè)試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測(cè)組合四探針?lè)ā?/span>

• 經(jīng)典的直排四探針?lè)y(cè)試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會(huì)造成實(shí)驗(yàn)誤差。當(dāng)被測(cè)片較小或在大片邊緣附近測(cè)量時(shí)，要求計(jì)入電場(chǎng)畸變的影響進(jìn)行邊界修正。

• 采用雙電測(cè)組合四探針的出現(xiàn)，為提高薄膜電阻和體電阻率測(cè)量度創(chuàng)造了有利條件。

高溫四探針測(cè)試儀采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ǖ膬?yōu)勢(shì)：

可按用戶要求訂制非標(biāo)產(chǎn)品

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